发明名称 一种ITO通孔电容触摸屏及其制造方法
摘要 本发明公开了一种ITO通孔电容触摸屏及其制造方法,所述ITO通孔电容触摸屏包括装饰玻璃基板,通过光学胶层叠于装饰玻璃基板上的电容功能基板,以及依次层叠于电容功能基板的ITO电极、第一绝缘层、ITO通孔电极、金属电极和第二绝缘层;所述的ITO电极包括电容屏驱动(ITO电极1)和感应电极(ITO电极2),具有规则图形结构;ITO电极1与ITO电极2在同一层面,相互独立,相互绝缘,垂直设计。本发明通过对电容触摸屏的层叠结构以及ITO导通方式进行合理的设计,采用ITO通孔的方式上下导通ITO信号电极,有效的提高电容式触摸屏的透光率,工作稳定性以及触摸灵敏度。
申请公布号 CN102289334B 申请公布日期 2013.01.23
申请号 CN201110234551.0 申请日期 2011.08.16
申请人 深圳市宝明科技股份有限公司 发明人 曹晓星;李晗
分类号 G06F3/044(2006.01)I 主分类号 G06F3/044(2006.01)I
代理机构 广东国晖律师事务所 44266 代理人 赵琼花
主权项 一种ITO通孔电容触摸屏,包括装饰玻璃基板,通过光学胶层叠于装饰玻璃基板上的电容功能基板,以及依次层叠于电容功能基板的ITO电极、第一绝缘层、ITO通孔电极、金属电极和第二绝缘层;所述的ITO电极包括电容屏驱动和感应电极,具有规则图形结构;电容屏驱动与感应电极在同一层面,相互独立,相互绝缘,垂直设计;金属电极层为在ITO电极层的玻璃装饰基板经过金属镀膜形成的一层厚度均匀的金属膜层,所述的金属膜层为MoNb,AlNd,MoNb堆积而成的三明治结构,三者厚度按50埃米~500埃米:500埃米~3000埃米:50埃米~500埃米比例搭配,其中MoNb合金材料中Mo和Nb质量比为85~95:5~15,AlNd合金材料中Al和Nd质量比为95~98:2~5。
地址 518000 广东省深圳市宝安区观澜街道办牛湖大水田工业园B区