发明名称 |
单晶硅铸锭炉 |
摘要 |
本实用新型提供了一种单晶硅铸锭炉,包括炉体,位于炉体内的石墨护板和坩埚,以及套设在石墨护板外围,靠近坩埚内的固液生长界面,且能随着固液生长界面的上升而移动的保温框,保温框远离石墨护板的一侧与设置在炉体内部的隔热笼之间具有间隙。本实用新型中,用不与隔热笼接触的保温框取代将热场隔离成两部分的挡板,在保温框移动时不会对热场的整体温度造成较大的影响,且在其保温作用下保证了固液生长界面附近的坩埚侧壁温度不会过冷,进而在不会大幅影响整个热场温度梯度的前提下,避免了靠近坩埚侧壁的固液生长界面形成凹形而导致侧壁成核向内生长多晶硅晶体,保证了生成的单晶硅的整体质量和单晶比例。 |
申请公布号 |
CN202688501U |
申请公布日期 |
2013.01.23 |
申请号 |
CN201220369096.5 |
申请日期 |
2012.07.27 |
申请人 |
英利集团有限公司 |
发明人 |
孟庆超;张运锋;刘磊;刘新辉;李高非;胡志岩;熊景峰 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
魏晓波 |
主权项 |
一种单晶硅铸锭炉,包括炉体(1),位于所述炉体(1)内的石墨护板(2)和设置在所述石墨护板(2)内的坩埚(3),以及套设在所述石墨护板(2)外围,并靠近所述坩埚(3)内硅溶液的固液生长界面(4),且能够随着所述固液生长界面(4)的上升而移动的保温框(5),其特征在于,所述保温框(5)远离所述石墨护板(2)的一侧与设置在所述炉体(1)内部的隔热笼(6)之间具有间隙。 |
地址 |
071051 河北省保定市翠园街722号 |