垂直接面型场效电晶体有限碳化矽电力金属氧化半导体场效电晶体及制造垂直接面型场效电晶体有限碳化矽金属氧化半导体场效电晶体之方法

摘要

本发明揭示一种碳化矽金属氧化半导体场效电晶体(MOSFET)，该MOSFET包括：一n–型碳化矽漂移层、一邻接于该漂移层并在其中具有一第一n–型碳化矽区之第一p–型碳化矽区、一在该漂移层上之氧化层、及一位于该漂移层与该第一p–型区之一部分之间的n–型碳化矽限制区。该限制区具有载子浓度高于该漂移层的载子浓度。本发明亦揭示制造碳化矽MOSFET装置的方法。