薄膜形成方法和薄膜形成装置

摘要

本发明的课题在于提供一种薄膜形成方法，其能够省去测试成膜所导致的成膜浪费，能够提高成膜效率。所述薄膜形成方法为：溅射靶材(29a、29b)，在保持于旋转筒(13)且旋转的基板(S)和监视基板(S0)上以目标膜厚T1形成作为第1薄膜的A膜后，再溅射用于A膜的形成的靶材(29a、29b)，用于以目标膜厚T3形成作为与A膜相同组成的其它薄膜的第2薄膜即C膜，所述薄膜形成方法具有膜厚监视工序S4、S5、停止工序S7、实际时间取得工序S8、实际速度计算工序S9和必要时间计算工序S24。

主权项

一种薄膜形成方法，在该薄膜形成方法中，溅射靶材，在保持于基体保持机构且旋转的基体上以目标膜厚形成第1薄膜之后，再溅射第1薄膜的形成中使用的靶材，以目标膜厚形成与第1薄膜相同组成的作为其它薄膜的第2薄膜，所述薄膜形成方法的特征在于，所述薄膜形成方法包括以下工序：膜厚监视工序，该工序中，向所述基体供给膜原料，一边形成第1薄膜，一边监视该第1薄膜的膜厚；停止工序，该工序中，在所述第1薄膜的膜厚达到目标膜厚的时刻停止所述膜原料的供给；实际时间取得工序，该工序中，取得实际成膜时间的信息，该实际成膜时间的信息为从所述膜原料的供给开始至停止为止所需要的实际的成膜时间；实际速度计算工序，该工序中，基于所述实际成膜时间计算出实际成膜速度，该实际成膜速度为形成第1薄膜的实际的成膜速度；和必要时间计算工序，该工序中，基于所述实际成膜速度计算出必要时间，该必要时间为以目标膜厚形成第2薄膜所需要的成膜时间；在以目标膜厚形成第2薄膜时，以所述实际成膜速度开始成膜，并且直至经过所述必要时间为止，向所述基体供给膜原料。