| 发明名称 | 光电转换器件和用于制造光电转换器件的方法 | ||
| 摘要 | 公开了具有较高转换效率的光电转换器件，和用于制造该光电转换器件的方法。光电转换器件包括工作电极，其具有透明电极(2)和在透明电极(2)表面上形成的担载染料的多孔金属氧化物半导体层；对立电极(5)；和电解质层(4)，氧化物半导体层表面羟基的浓度等于或大于0.01个/(nm)2且等于或小于4.0个/(nm)2，吸附水的浓度等于或大于0.03个/(nm)2且等于或小于4.0个/(nm)2。制造光电转换器件的方法包括：第一步，在透明电极(2)的表面形成多孔金属氧化物半导体层(3)；第二步，处理在氧化气氛下进行低温等离子体处理将氧化物半导体层表面羟基的浓度控制为等于或大于0.01个/(nm)2且等于或小于4.0个/(nm)2，将吸附水的浓度控制为等于或大于0.03个/nm2且等于或小于4.0个/(nm)2；和第三步，在氧化物半导体层担载染料。 | ||
| 申请公布号 | CN102893450A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201180024838.9 | 申请日期 | 2011.05.17 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 室山雅和;福岛和明 |
| 分类号 | H01M14/00(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01M14/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 李剑 |
| 主权项 | 一种光电转换器件，其包括：工作电极，其上形成有多孔金属氧化物半导体层以担载染料，其中，所述多孔金属氧化物半导体层表面上的羟基的浓度等于或大于0.01个/(nm)2且等于或小于4.0个/(nm)2。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||