亚分辨率硅特征及其形成方法

摘要

提供用于在光刻分辨率限制下使硅特征成形的新颖蚀刻技术。至少在沟道区域中，通过使氧化物(102)凹陷且使硅突起(124)暴露于各向同性蚀刻来界定鳍片场效应晶体管装置。在一个实施方案中，通过使用下游微波等离子体蚀刻的具有极佳选择性的干式各向同性蚀刻来形成所述突起(124)的轮廓。

主权项

一种形成鳍片场效应晶体管装置的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成半导体材料的台面，其中所述台面在横向侧上由隔离材料环绕；使所述隔离材料凹陷，以部分地暴露所述半导体材料的台面的横向侧；对所述台面的所述横向侧的暴露部分进行干式蚀刻，以便减小其宽度，从而界定所述半导体材料的台面的形成有轮廓的部分，并使所述形成有轮廓的部分限制于所述台面的晶体管沟道区域，所述形成有轮廓的部分的上表面形成圆形；以及形成栅极导体，以共形地覆盖所述半导体材料的台面的所述形成有轮廓的部分。