| 发明名称 | 金属布线沟槽的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属布线沟槽的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有层间介质层、介电层、底部抗反射层、低温氧化硅层和图案化光刻胶层；以图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀低温氧化硅层至露出底部抗反射层，形成第一沟槽图形；以图案化光刻胶层和低温氧化硅层为掩膜，沿第一沟槽图形刻蚀底部抗反射层至露出介电层，形成第二沟槽图形，所述刻蚀气体为二氧化碳和一氧化碳混合气体；以低温氧化硅层和抗反射层为掩膜，沿第二沟槽图形刻蚀介电层，形成金属布线沟槽。本发明能有效控制在底部抗反射层形成的第二沟槽图形的临界尺寸达到预定值，进而使后续形成的金属布线沟槽的临界尺寸与预定值一致，提高半导体器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101958277B | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN200910054950.1 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 李凡;洪中山 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种金属布线沟槽的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有层间介质层、介电层、底部抗反射层、低温氧化硅层和图案化光刻胶层；形成所述底部抗反射层的方法为旋涂法；以图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀低温氧化硅层至露出底部抗反射层，形成第一沟槽图形；以图案化光刻胶层和低温氧化硅层为掩膜，沿第一沟槽图形刻蚀底部抗反射层至露出介电层，形成第二沟槽图形，所述刻蚀气体为二氧化碳和一氧化碳混合气体；以低温氧化硅层和抗反射层为掩膜，沿第二沟槽图形刻蚀介电层，形成金属布线沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||