| 发明名称 | NMOS器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种NMOS器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面上依次形成栅极介质层和栅电极，其中，位于所述栅电极两侧的半导体衬底分别为源区和漏区；在所述源区和漏区内依次注入铟离子与硼离子，形成口袋区域；在位于所述口袋区域上方的源区和漏区内注入磷离子，形成轻掺杂区；其中，所述铟离子掺杂剂量为0.5E13～2E13/cm2；所述磷离子掺杂剂量1E14～2.5E14/cm2；所述硼离子掺杂剂量为0.5E13～4E13/cm2。本发明还提供一种由所述NMOS器件形成方法所形成的NMOS器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102097320B | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN200910201193.6 | 申请日期 | 2009.12.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 甘正浩;吴永坚;郭锐;廖金昌 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种NMOS器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面上依次形成栅极介质层和栅电极，位于所述栅电极两侧的半导体衬底分别为源区和漏区；在所述源区和漏区内依次注入铟离子与硼离子，形成口袋区域；其特征在于，所述铟离子掺杂剂量为0.5E13~2E13/cm2，铟离子的注入能量为50Kev～70Kev；所述硼离子掺杂剂量为0.5E13~4E13/cm2，硼离子的注入能量为7Kev～15Kev。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||