发明名称 |
低衰减高屏蔽性能柔软射频电缆 |
摘要 |
本实用新型涉及一种低衰减高屏蔽性能柔软射频电缆,包括在镀银铜线内导线外依次设有一层半熟聚四氟乙烯绝缘层、镀锡铜线编织并整体镀锡屏蔽层、护套构成。本实用新型的特点是:半熟聚四氟乙烯绝缘层保证了该电缆具有较低的衰减;镀锡铜线编织并整体镀锡屏蔽层保证了该电缆具有了较好的屏蔽性能,而且具有较好的柔软性;同时这种设计降低了电缆的重量以及成本。 |
申请公布号 |
CN202694880U |
申请公布日期 |
2013.01.23 |
申请号 |
CN201220225255.4 |
申请日期 |
2012.05.18 |
申请人 |
天津安讯达科技有限公司 |
发明人 |
杨光;赵明哲;刘德友;史卫箭;孟宪媛;刘正建 |
分类号 |
H01B7/04(2006.01)I;H01B7/02(2006.01)I;H01B7/17(2006.01)I |
主分类号 |
H01B7/04(2006.01)I |
代理机构 |
天津中环专利商标代理有限公司 12105 |
代理人 |
胡京生 |
主权项 |
一种低衰减高屏蔽性能柔软射频电缆,其特征在于:包括在镀银铜线内导体(1)外依次设有一层半熟聚四氟乙烯绝缘层(2)、镀锡铜线编织并整体镀锡外导体(3)、护套(4)构成。 |
地址 |
300457 天津市塘沽区开发区华泰路71号 |