具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺

摘要

本发明涉及热电材料领域，是一种具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的部分Cu元素等摩尔替换为Sb元素，所述Sb元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0～0.025，Cu元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25。所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体的化学式为Cu1-xGaSbxTe2，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Sb等摩尔替换Cu-Ga-Sb-Te四元热电合金中Cu元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。

主权项

一种具有黄铜矿结构的Cu‑Ga‑Sb‑Te四元热电半导体，其特征在于所述Cu‑Ga‑Sb‑Te四元热电半导体中的Cu元素等摩尔替换为Sb元素，所述Sb元素在所述Cu‑Ga‑Sb‑Te四元热电半导体中的摩尔分数为0～0.025，Cu元素在所述Cu‑Ga‑Sb‑Te四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25，所述Cu‑Ga‑Sb‑Te四元热电半导体的化学式为Cu1‑xGaSbxTe2，其中0≤x≤0.1。