| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：位于衬底上的栅极结构，位于所述栅极结构两侧的含锗半导体层，在所述含锗半导体层之间外延生长的被掺杂的外延半导体层，所述含锗半导体层与所述外延半导体层的底面位于同一水平面上。其中，所述外延半导体层用作沟道区，并且含锗半导体层用作源漏延伸区根据本发明，能够有利地使得源漏延伸区的结深浅(或厚度小)且掺杂浓度高。 | ||
| 申请公布号 | CN102891175A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201110201271.X | 申请日期 | 2011.07.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：位于衬底上的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的含锗半导体层；在所述含锗半导体层之间外延生长的被掺杂的外延半导体层；所述含锗半导体层与所述外延半导体层的底面位于同一水平面上；其中，所述外延半导体层用作沟道区，并且含锗半导体层用作源漏延伸区。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||