发明名称 |
绝缘栅双极型晶体管 |
摘要 |
本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管,其中,层间绝缘膜形成为,在沟槽延伸的方向上直角的剖面视图中,由上段部构成的第1阶段和下段部构成的第2阶段所构成的凸形状,第1阶段的高度在层间绝缘膜的整体高度的1/3-2/3的范围内。通过本实用新型的凸形状的层间绝缘膜构造,可以更好地防止层间绝缘膜的剥落。 |
申请公布号 |
CN202695447U |
申请公布日期 |
2013.01.23 |
申请号 |
CN201220341150.5 |
申请日期 |
2012.07.13 |
申请人 |
三垦电气株式会社 |
发明人 |
鸟居克行 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;黄纶伟 |
主权项 |
一种绝缘栅双极型晶体管,其具有:半导体衬底,其具有第1主面以及第2主面并且还具有在所述第1主面上并行延伸的多个沟槽;射极电极,其配置在所述第1主面上;集电极电极,其配置在所述第2主面上;绝缘膜,其配置在所述沟槽的壁面上;栅极电极,其配置在所述沟槽中;以及层间绝缘膜,其形成在所述沟槽上方,并处于所述射极电极和所述沟槽间,其特征在于,所述半导体衬底具有:第1导电型的集电极区域,其配置成在所述第2主面上露出;第2导电型的漂移区域,其配置在所述集电极区域的上方;第1导电性的基极区域,其配置在所述第2导电型的漂移区域的上方;以及第2导电型的射极区域,其邻接配置在与所述第1导电型的基极区域并且在所述第1主面上露出,所述沟槽具有比从所述第1主面起到所述第1导电型的基极区域的下部更深的深度,所述层间绝缘膜形成为由上段部构成的第1阶段和下段部构成的第2阶段所构成的凸形状,所述第1阶段的高度在所述层间绝缘膜的整体高度的1/3‑2/3的范围内。 |
地址 |
日本埼玉县 |