矽化铪靶及其制造方法

摘要

关于一种闸极氧化膜形成用矽化铪靶，其特征在于，系由Hfsi0.82-0.98所构成，且氧含有量为500~10000ppm。系合成出组成为Hfsi0.82-0.98之粉末，将此粉末粉碎成100筛目以下之物，然后以1700℃~2120℃、150~2000kgf/cm2进行热压或热均压(HIP)，来制造闸极氧化膜形成用矽化铪靶。可得到一种可做为高介电体闸极绝缘膜(具备取代 SiO2膜以及SiON膜之特性)使用、适于HfsiO膜以及 HfsiON膜形成、富有耐脆化性、粒子产生少、且无靶制造过程中之起火与爆炸的危险之矽化铪靶及其制造方法。

主权项

1.一种闸极氧化膜形成用矽化铪靶,其待徵在于,系 由HfSi0.82-0.98所构成,且氧含有量为500~10000ppm、相 对密度为95%以上。 2.如申请专利范围第1项之闸极氧化膜形成用矽化 铪靶,其中,锆含有量为2.5wt%以下。 3.如申请专利范围第1或2项之闸极氧化膜形成用矽 化铪靶,其中,杂质C:300ppm以下、Ti:100ppm以下、Mo:100 ppm以下、W:10ppm以下、Nb:10ppm以下、Fe:10ppm以下、Ni :10ppm以下、Cr:10ppm以下、Na:0.1ppm以下、K:0.1ppm以下 、U:0.01ppm以下、Th:0.01ppm以下。 4.如申请专利范围第1或2项之闸极氧化膜形成用矽 化铪靶,其中,平均结晶粒径为5~200m。 5.一种闸极氧化膜形成用矽化铪靶之制造方法,系 用以制造申请专利范围第1~4项中任一项之闸极氧 化膜形成用矽化铪靶;其特征在于,系合成出组成 为HfSi0.82-0.98之粉末,将此粉末粉碎成100筛目以下 之物,然后以1700℃~2120℃、150~2000kgf/cm2进行热压或 热均压(HIP)。