一种背照式CMOS图像传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器的制造方法，包括在衬底中依次形成感光二极管区及至少一层金属互连层；在衬底下表面形成并刻蚀介质层，以使介质层间形成开口区域，金属互连层的金属互连线通过开口区域引出；在开口区域形成多孔硅结构，多孔硅结构的深度为衬底下表面至所述金属互连线的深度；去除介质层；以及在多孔硅结构中填充导电材料。本发明工艺简便，成本低廉，且所制造的图像传感器中的多孔硅结构与衬底应力非常小，可实现零失配。

主权项

一种背照式CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底中依次形成感光二极管区及至少一层金属互连层；在所述衬底下表面形成并刻蚀介质层，以使所述介质层之间形成开口区域，所述金属互连层的金属互连线通过所述开口区域引出；在所述衬底下表面的所述开口区域形成多孔硅结构，所述多孔硅结构的深度为所述衬底下表面至所述金属互连线的深度；去除所述介质层；以及在所述多孔硅结构中填充导电材料。