发明名称 | 用于外腔二极管激光器的半导体光学放大器 | ||
摘要 | 在一个实施例中,外腔二极管激光器(ECDL)的增益介质包括:增益部分,用于对ECDL中的光能量提供增益操作,所述增益操作由第一电信号控制;被设置成与所述增益部分相邻的半导体光学放大器(SOA)部分,用于响应于第二电信号而放大所增益的光能量;以及被设置在所述增益部分和所述SOA部分之间的沟槽,用作集成镜。还描述并请求保护其他实施例。 | ||
申请公布号 | CN101779348B | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
申请号 | CN200880018741.5 | 申请日期 | 2008.05.22 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S·索恰瓦 |
分类号 | H01S5/14(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/14(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 邬少俊;王英 |
主权项 | 一种用于进行增益操作和放大操作的装置,包括:集成结构,所述集成结构具有经由穿过其间的波导进行光学连接的正面和背面,所述集成结构还包括:增益部分,用于对外腔激光器中的光能量提供增益操作,所述增益操作由第一电信号控制,其中,所述增益部分是所述外腔激光器的一部分,并且所述增益部分耦合到第一独立电极和公共电极;被设置成相邻于所述增益部分的半导体光学放大器部分,用于响应于第二电信号放大由所述外腔激光器发射的所述光能量,其中所述半导体光学放大器部分耦合到第二独立电极和所述公共电极;以及被设置在所述增益部分和所述半导体光学放大器部分之间的具有宽度和深度的沟槽镜,其中所述增益部分和所述半导体光学放大器部分是有源部分;以及偏置电路,被耦合以用于向所述第一独立电极和所述第二独立电极中的每一个提供独立的偏置电流,其中在从第一信道调整到第二信道期间,当所述偏置电路向所述第二独立电极提供负向偏置时,所述半导体光学放大器部分基本遮蔽由所述外腔激光器发射的所有光能量。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚 |