| 发明名称 | 一种半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底表面形成有第一外延层；在第一外延层内形成标识结构；以标识结构为基准，在第一外延层内形成掺杂层；在第一外延层表面形成外延层，第二外延层内形成有标识结构，且与第一外延层内标识结构的位置相对应；以标识结构为基准，在第二外延层内形成掺杂层；其中，所述外延层形成时的工艺温度为900℃-1200℃；和/或，所述外延层形成时的工艺压强为20Torr-40Torr。利用本发明所提供的方法，能够保证各层外延层内形成的掺杂层在竖直方向上严格对齐，从而避免由于各层外延层内所形成的掺杂层在竖直方向上发生错位，而给半导体器件的击穿电压所带来的影响，提高半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102891135A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201210396316.8 | 申请日期 | 2012.10.17 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 贾璐;黄锦才 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有第一外延层；在所述第一外延层内形成标识结构；以所述标识结构为基准，在所述第一外延层内形成掺杂层；在所述第一外延层表面形成第二外延层，所述第二外延层内形成有标识结构，且与所述第一外延层内标识结构的位置相对应；以所述标识结构为基准，在所述第二外延层内形成掺杂层；其中，所述外延层形成时的工艺温度为900℃‑1200℃；和/或，所述外延层形成时的工艺压强为20Torr‑40Torr。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||