| 发明名称 | 高k金属栅极叠层 | ||
| 摘要 | 一种用于场效应晶体管（FET）器件的栅极叠层结构，包括：富氮的第一电介质层，其形成在半导体衬底表面之上；贫氮且富氧的第二电介质层，其形成在所述富氮的第一电介质层上，所述第一电介质层和所述第二电介质层共同形成双层界面层；高k电介质层，其形成在所述双层界面层之上；金属栅极导体层，其形成在所述高k电介质层之上；以及功函数调整掺杂剂物质，其扩散在所述高k电介质层和所述贫氮且富氧的第二电介质层内，且其中所述富氮的第一电介质层用来使所述功函数调整掺杂剂物质与所述半导体衬底表面分隔。 | ||
| 申请公布号 | CN102893375A | 申请公布日期 | 2013.01.23 |
| 申请号 | CN201180023957.2 | 申请日期 | 2011.05.18 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 郭德超;P·欧尔迪吉斯;T-C·陈;王岩峰 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
| 主权项 | 一种用于场效应晶体管（FET）器件的栅极叠层结构，包括：富氮的第一电介质层，其形成在半导体衬底表面之上；贫氮且富氧的第二电介质层，其形成在所述富氮的第一电介质层上，所述第一电介质层和所述第二电介质层共同形成双层界面层；高k电介质层，其形成在所述双层界面层之上；金属栅极导体层，其形成在所述高k电介质层之上；以及功函数调整掺杂剂物质，其扩散在所述高k电介质层和所述贫氮且富氧的第二电介质层内，且其中所述富氮的第一电介质层用来使所述功函数调整掺杂剂物质与所述半导体衬底表面分隔。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||