发明名称 蚀刻系统及其纯水添加装置
摘要 本发明涉及一蚀刻系统,其包括一反应腔、一承装箱及一纯水添加装置,该反应腔与该承装箱相连,该纯水添加装置包括:一洁净乾气体输入管道及一纯水输入管道,两者均与反应腔相连;该洁净乾气体输入管道及一纯水输入管道之开合分别由位于其上之计时控制器控制;其中,该纯水输入管道一部分经过一加热器加热。
申请公布号 TWI282586 申请公布日期 2007.06.11
申请号 TW093104584 申请日期 2004.02.24
申请人 群创光电股份有限公司 发明人 欧振宪;黄昌桂;高胜洲;黄荣龙;陈青枫;黄志鸿
分类号 H01L21/30(2006.01) 主分类号 H01L21/30(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一纯水添加装置,其包括: 一洁净乾气体输入管道及一纯水输入管道,该洁净 乾气体输入管道及一纯水输入管道之开合分别由 位于其上之计时控制器控制;其中,该纯水输入管 道一部分经过一加热器加热。 2.如申请专利范围第1项所述之纯水添加装置,其中 该洁净乾气体输入管道与该纯水输入管道滙合于 一主管道。 3.一蚀刻系统,其包括一反应腔、一承装箱及一纯 水添加装置,该反应腔与该承装箱相连,该纯水添 加装置包括:一洁净乾气体输入管道及一纯水输入 管道,该洁净乾气体输入管道与该纯水输入管道均 与反应腔相连;该洁净乾气体输入管道及一纯水输 入管道之开合分别由位于其上之计时控制器控制; 其中,该纯水输入管道一部分经过一加热器加热。 4.如申请专利范围第3项所述之蚀刻系统,其中该洁 净乾气体输入管道与该纯水输入管道滙合于一主 管道。 5.如申请专利范围第3项所述之蚀刻系统,其中该加 热器置于该承装箱内。 6.如申请专利范围第3项所述之蚀刻系统,其中该加 热器置于该承装箱外部周围。 7.如申请专利范围第3项所述之蚀刻系统,其中该承 装箱内承装蚀刻用之液态化学药品。 8.如申请专利范围第7项所述之蚀刻系统,其中该液 态化学药品为草酸。 图式简单说明: 第一图为先前技术蚀刻系统之平面示意图。 第二图为另一先前技术蚀刻系统之平面示意图。 第三图为本发明蚀刻系统第一实施方式之平面示 意图。 第四图为本发明蚀刻系统第二实施方式之平面示 意图。
地址 苗栗县竹南镇新竹科学园区科学路160号