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经营范围
发明名称
磊晶矽晶圆之制造方法与基板洗净装置
摘要
【课题】提供可使去疵能力提高,且即使在基板表面上;形成磊晶层也可防止层积缺陷产生之磊晶矽晶圆之制造方法。;【解决手段】在藉由CZ法(捷克拉斯基法)来制造,掺;杂氮后拉起之矽单晶切出而得到的基板上,形成磊晶层之磊晶矽晶圆之制造方法,系包括:在基板表面上以基板洗净装置1之曝气槽11来喷射汽化的氟酸,来将该基板W表面洗净之氟酸洗净制程;以及在洗净后之基板W的表面上形成磊晶层之磊晶层形成制程。
申请公布号
TWI383076
申请公布日期
2013.01.21
申请号
TW097116620
申请日期
2008.05.06
申请人
SUMCO TECHXIV股份有限公司 日本
发明人
小佐佐和明;三好康介
分类号
C30B33/00
主分类号
C30B33/00
代理机构
代理人
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址
日本
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