半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括提供一基板；于上述基板上分别形成一第一闸极绝缘层和一第二闸极绝缘层；全面性形成一闸极层；移除部分上述闸极层、上述第一闸极绝缘层和部分上述第二闸极绝缘层，以形成一第一闸极、一残留第一闸极绝缘层、一第二闸极和一残留第二闸极绝缘层，其中未被上述第一闸极覆盖之上述残留第一闸极绝缘层系具有一第一厚度，未被上述第二闸极覆盖之上述残留第二闸极绝缘层具有一第二厚度，两者比值介于1：10至1：20之间；分别于上述第一闸极和上述第二闸极的侧壁上形成一对第一间隙壁和一对第二间隙壁。