发明名称 半导体记忆装置之资料写入方法
摘要 一种半导体记忆装置之资料写入方法,其包括写入序列,该写入序列系对于同时选择之复数个记忆单元进行写入构成多值资料之各目标临限位准,其中写入序列进行写入控制,以便写入按目标临限位准高之记忆单元顺序完成。
申请公布号 TWI383397 申请公布日期 2013.01.21
申请号 TW097111896 申请日期 2008.04.01
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 枝广俊昭;二山拓也;远田利之
分类号 G11C16/04;G11C16/06 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本