具有双闸极之绝缘闸双极性电晶体

摘要

本发明提供一种绝缘闸双极性电晶体装置，包含有一具有一p+层的半导体基底、一阴极接点、一阳极接点、一p+阴极短路区、一n+阴极区、一N井、深P井、一n漂移区、一第一闸极、一第二闸极、一p+扩散区、一p+层、一金属插塞、以及一预形成的电洞通道，其中该第一闸极系为一沟渠式闸极，且为一N通道MOSFET的一部分；该第二闸极系为一相邻于该阴极接点的平面式闸极，且为一P通道MOSFET的一部份；而且该第一闸极和该第二闸极彼此电位相连，并且参考该阴极接点的电位；而且该预形成的电洞通道系位于该第二闸极下方的该n井的表面上。