| 摘要 |
本发明提供一种整合萧基(Schottky)二极体的高功率半导体元件，包括一水平扩散金氧半导体电晶体(LDMOS)元件以及一萧基二极体元件。该LDMOS元件包括：一半导体基底；一P-型体掺杂区于该基底的一第一区域中；一N-型漂移区于该基底的一第二区域中，且与该P-型体掺杂区间存在一接面；一绝缘区于基底上，定义出一主动区域；一阳极电极位于该P-型体掺杂区露出的该区域上；一N-型浓掺杂区位于该N-型漂移区中，且与该绝缘区的一第二端接触；及一阴极电极位于该N-型浓掺杂区上。上述萧基二极体元件包括：该N-型漂移区于该半导体基底的该第一区域和该一第二区域中；该阳极电极位于该N-型漂移区于该半导体基底的该第一区域上；该N-型浓掺杂区位于该N-型漂移区于该半导体基底的该第二区域中；及该阴极电极位于该N-型浓掺杂区上。 |
