用于页内或页间之资料的晶片内虚乱数化方法及非挥发记忆体

摘要

一积体电路记忆体晶片内之特征使得能够扰乱或乱数化非挥发性记忆体单元之一阵列中所储存的资料。在一实施例中，每一页内之乱数化有助于控制感测期间的源极负载误差及相邻单元中之浮动闸极间耦合。页间的乱数化有助于减少由特定资料样式之反覆且长期储存导致的程式化干扰、使用者读取干扰及浮动闸极间耦合。在另一实施例中，乱数化实施于一页内及页间两者。该扰乱或乱数化在不同实施例中可为预定的，或码产生之虚乱数化或使用者驱动之乱数化。此等特征系在该积体电路记忆体晶片之有限资源及预算内实现。