低锆之卤化铪组成物

摘要

本发明系关于具有锆浓度低于约1000 ppm之卤化铪组成物、一种制备具有锆浓度低于约1000 ppm之卤化铪组成物的方法、有机金属化合物前驱物、一种制备有机化合物前驱物之方法、以及一种自有机金属化合物前驱物制得薄膜或涂层之方法。该有机金属化合物系用作半导体应用中薄膜沉积之化学气相沉积或原子层沉积前驱物。