测量覆盖误差的半导体装置、测量覆盖误差的方法、微影设备及装置制造方法

摘要

本发明提供一种用于在一半导体基板上确定一覆盖误差之半导体装置，其包括一第一及一第二电晶体。每一电晶体包括与一闸极相关联之两个扩散区域，每一电晶体之该等扩散区域配置于一第一方向上。该第二电晶体在一垂直于该第一方向之第二方向上邻近该第一电晶体配置。该第一及该第二闸极各具有一非均一形状，且该第二闸极相对于该第一闸极之一定向方式使一覆盖误差对该第二电晶体之一装置参数之效应与该覆盖误差对该第一电晶体之装置参数之效应相比具有相反符号。