| 摘要 |
本发明揭示一种藉由大于二系数之单一间隙壁倍增间距之程序。在一具体实施例中，在一基板上形成n(其中n＞＝2)层堆叠之心轴(150b)、(140a)，该等n层之各层包含实质上彼此平行的复数个心轴(150b)、(140a)。处于层n之心轴(150b)在处于层n－1之心轴(140a)之上并与其平行，并且处于层n的邻接心轴之间的距离大于处于层n－1的邻接心轴之间的距离。同时在该等心轴(150b)、(140a)之侧壁上形成间隙壁(185)。蚀刻掉该等心轴(150b)、(140a)之曝露部分并将藉由该等间隙壁(185)定义之线之一图案转移至该基板(110)。 |
