发明名称 半导体单结晶制造装置之位置量测装置及位置量测方法
摘要 [课题]即使在短时间内以高作业效率进行热遮蔽体的边;缘位置的位置量测处理,仍可精度良好且没有变动地量测边缘位置。;[解决手段]以第1扫瞄间隔△θ1进行距离测定,同时进;行第1判断处理,结果,在可判断为边缘位置的量测距离d被判断为变化时,此次使光扫瞄位置θ沿着扫瞄方向A之反方向B(或者沿着扫瞄方向B之反方向A)返回预定量ψ,从返回的光扫瞄位置θrs起再度扫瞄雷射光101,并以比第1扫瞄间隔△θ1短的第2扫瞄间隔△θ2进行距离量测,同时进行第2判断处理,结果,在判断出可判断为边缘位置的量测距离d变化时,最终地判定在其变化被判断之时点的光扫瞄位置θc,雷射光101被热遮蔽体8的框边8a的边缘8e反射。
申请公布号 TWI383073 申请公布日期 2013.01.21
申请号 TW097124858 申请日期 2008.07.02
申请人 SUMCO TECHXIV股份有限公司 日本 发明人 林田寿男;木原亚由美;三谷直司
分类号 C30B15/26;C30B29/06 主分类号 C30B15/26
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 日本