发明名称 基板及其研磨方法、和研磨装置
摘要 本发明目的在于提供一种研磨方法和研磨装置,其可极为平滑,且有效率地研磨由SiC或钻石构成之基板的表面而不会残留次表面损伤。;研磨定盘1能以转轴4为中心进行旋转,且由对紫外光之透明性高的石英所构成。在研磨定盘1之表面呈格子状设置有多道槽11,于各槽11内埋入固体光触媒粒子20(CeO2)。一面以超高压将研磨定盘1压抵于由碳化矽(SiC)或金刚石(C)所构成之基板30之被研磨面30A,一面相对地摩擦滑动,藉由固体光触媒粒子20将被研磨面30A氧化,藉以进行化学研磨。藉由来自紫外光源灯2之紫外线照射,促进被研磨面30A之氧化,藉由红外光源灯3之加热促进研磨。
申请公布号 TWI382893 申请公布日期 2013.01.21
申请号 TW095124737 申请日期 2006.07.07
申请人 国立大学法人 熊本大学 日本 发明人 渡边纯二
分类号 B24B1/00;B24B37/24;H01L21/304 主分类号 B24B1/00
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址 日本