| 摘要 |
一种矽晶圆的研磨方法及制造方法、以及矽晶圆，该矽晶圆的研磨方法，系研磨在背面侧形成有氧化膜的矽晶圆的方法，其中去除前述矽晶圆斜角部的氧化膜之同时，以使氧化膜的厚度从该晶圆背面的最外周部至少2毫米内侧起朝向外侧变薄的方式，来研磨该晶圆的背面外周部的氧化膜。;藉此，提供一种矽晶圆的研磨方法及制造方法、以及为了适合实施该方法之圆盘状工作件的研磨装置、及即使背面形成有氧化膜在操作处理后粒子亦不会附着在晶圆表面上，亦不会有因自动掺杂而使电阻率下降之矽晶圆，该矽晶圆的研磨方法及制造方法可以防止操作处理后的粒子附着在晶圆表面上，亦不会有因自动掺杂而使电阻率下降，更不会使生产率下降。 |
