| 摘要 |
1. Магнитный элемент, записываемый с использованием операции записи с термическим переключением, содержащий магнитный туннельный переход, образованный туннельным барьером, расположенным между первым и вторым магнитными слоями, причем второй магнитный слой имеет вторую намагниченность, направление которой может быть настроено при операции записи при нагреве магнитного туннельного перехода до высокой пороговой температуры; верхнюю линию тока, соединенную с верхним концом магнитного туннельного перехода; и участок пластины, проходящий латерально и соединенный с нижним концом магнитного туннельного перехода;при этом магнитное устройство дополнительно содержит нижний термический изолирующий слой, проходящий, по существу, параллельно участку пластины и расположенный таким образом, что участок пластины находится между магнитным туннельным переходом и нижним термическим изолирующим слоем.2. Магнитный элемент по п.1, дополнительно содержащий верхний термический изолирующий слой, расположенный у верхнего конца магнитного туннельного перехода между верхней линией тока и магнитным туннельным переходом.3. Магнитный элемент по п.1, дополнительно содержащий латеральный термический изолирующий слой, латерально включающий в себя, по меньшей мере, участок магнитного туннельного перехода.4. Магнитный элемент по п.3, в котором, по меньшей мере, участок магнитного туннельного перехода содержит нижний магнитный слой, верхний магнитный слой, туннельный барьер или комбинацию любых из этих элементов.5. Магнитный элемент по п.3, в котором, по меньшей мере, участок магнитного туннельного перехода содержит весь магнитный т� |
