| 主权项 |
1.一种光电模组,其包含: -一承载元件,其具有电性终端电极和电性导线, -至少一个施加在该承载元件上且在电性上连接至 该承载元件之终端电极的半导体组件,其用来发出 或侦测电磁辐射且具有一辐射耦合面,以及 -至少一光学装置,其配属于该半导体组件,其特征 为: 在辐射耦合面和光学装置之间之气隙中配置一由 可透过辐射且可变形的材料所构成的连接层,其中 该光学装置和半导体组件须互相固定,使其互相压 紧且该连接层须受到挤压,使该连接层产生一种力 ,该力压向该光学装置和该辐射耦合面而试图使它 们分开。 2.如申请专利范围第1项之光电模组,其中该连接层 所具有之厚度至少是30m,较佳是至少100m。 3.如申请专利范围第2项之光电模组,其中该连接层 之厚度大于或等于150m且小于或等于350m。 4.如申请专利范围第1项之光电模组,其中该连接层 具有一种清漆,较佳是电路板清漆,其在硬化状态 中是可变形的。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项之光电模组, 其中该承载元件之表面至少一部份涂布一种材料 以作为保护用使不受外界所影响,该材料亦包含在 该连接层中。 6.如申请专利范围第1至4项中任一项之光电模组, 其中该连接层之折射率是依据半导体组件之与该 连接层相邻接的材料的折射率来调整及/或依据该 光学装置之与该连接层相邻接的材料的折射率来 调整。 7.如申请专利范围第1至4项中任一项之光电模组, 其中该光学装置具有反射式及/或折射式元件。 8.如申请专利范围第1至4项中任一项之光电模组, 其中该半导体组件是一种电致发光二极体组件。 9.如申请专利范围第1至4项中任一项之光电模组, 其中该半导体组件是一种可表面安装的组件。 10.一种光电模组之制造方法,其包含至少以下各步 骤: -制备: -一种承载元件,其具有电性终端电极和电性导线, -一种半导体组件,其可发出或侦测电磁辐射且具 有一种辐射耦合面,以及 -一种光学装置; -于该承载元件上施加该半导体组件且使该半导体 组件在电性上连接至终端电极;以及 -在该半导体组件之辐射耦合面上安装该光学装置 ,其特征为: -在安装该光学装置之前至少在该半导体组件之辐 射耦合面上施加一种可硬化且在硬化状态中可透 过辐射且可变形的材料, -已施加的材料至少一部份须硬化或可硬化,以及 -该光学装置和半导体组件须互相固定,使其互相 压紧且该连接层须受到挤压,使该连接层产生一种 力,该力压向该光学装置和该辐射耦合面而试图使 它们分开。 11.如申请专利范围第10项之制造方法,其中该材料 以层的形式施加而成,该层所具有之厚度至少是30 m,较佳是至少100m。 12.如申请专利范围第11项之制造方法,其中该材料 以层的形式施加而成,该层之厚度大于或等于150 m且小于或等于350m。 13.如申请专利范围第10至12项中任一项之制造方法 ,其中该材料具有一种清漆,较佳是一种电路板清 漆,其在硬化状态中可变形。 14.如申请专利范围第10项之制造方法,其中至少在 该承载元件之表面之一部份上施加该材料以进行 保护使不受外界所影响。 15.如申请专利范围第14项之制造方法,其中施加该 材料于该辐射耦合面上及该承载元件之表面上时 是以唯一的步骤来达成。 图式简单说明: 第1图 本方法之一实施例之一阶段中该光电模组 的切面之一部份。 第2图 光电模组之一实施例之切面图之一部份。 |
