发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Halbleitergehäuses
摘要 <p>In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleitergehäuses (1) bereitgestellt, das aufweist: ein Bereitstellen eines Substrats (2), wobei das Substrat (2) eine erste Oberfläche (3) und eine zweite Oberfläche (5), die der ersten Oberfläche (3) gegenüberliegend angeordnet ist, aufweist, und wobei das Substrat (2) ein oder mehrere Durchgangslöcher (7', 7'', 7''') aufweist, die an vordefinierten Positionen durch das Substrat (2) hindurch gebildet sind von der ersten Oberfläche (3) zu der zweiten Oberfläche (5); ein Bereitstellen mindestens eines ersten Dies (9), wobei der erste Die (9) eine erste Oberfläche (13) und eine zweite Oberfläche (15), die der ersten Oberfläche (13) gegenüberliegend angeordnet ist, aufweist, und wobei der erste Die (9) einen oder mehrere erste Kontaktanschlüsse (9', 9'', 9''') auf der ersten Oberfläche (13) des mindestens einen ersten Dies (9) aufweist; ein Platzieren des mindestens einen ersten Dies (9) mit dessen erster Oberfläche (13) auf der ersten Oberfläche (3) des Substrats (2), wobei ein Kleber (11) dazwischen aufgebracht wird außerhalb des einen oder der mehreren Durchgangslöcher (7', 7'', 7''') derart, dass das eine oder die mehreren Durchgangslöcher (7', 7'', 7''') mit dem einen oder den mehreren ersten Kontaktanschlüssen (9', 9'', 9''') ausgerichtet sind, wodurch eine Die-Anordnung (17) gebildet wird, die eine erste Oberfläche (19) und eine zweite Oberfläche (21) aufweist, die einander gegenüberliegen; und ein Bereitstellen der ersten Oberfläche (19) der Die-Anordnung (17) mit einer ersten Metallisierungsschicht aus einem elektrisch leitfähigen Metallisierungsmaterial zum elektrischen Kontaktieren des einen oder der mehreren ersten Kontaktanschlüsse (9', 9'', 9'''), wobei das Metallisierungsmaterial der ersten Metallisierungsschicht sich in das eine oder die mehreren Durchgangslöcher (7', 7'', 7''') hinein erstreckt, so dass der eine oder die mehreren ersten Kontaktanschlüsse (9', 9'', 9''') mittels dieser elektrisch kontaktiert wird oder werden.</p>
申请公布号 DE102012106280(A1) 申请公布日期 2013.01.17
申请号 DE201210106280 申请日期 2012.07.12
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 GANITZER, PAUL;STANDING, MARTIN
分类号 H01L21/48;H01L21/52;H01L21/60 主分类号 H01L21/48
代理机构 代理人
主权项
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