电浆蚀刻方法及电脑可读取的记忆媒体

摘要

本发明的课题是在于提供一种即使所定的蚀刻条件为蚀刻开口性低之类时,还是可以兼顾良好的开口性及选择性的电浆蚀刻方法。其解决手段是在处理容器10内搬入依序形成有蚀刻对象的氧化膜、及被图案化的光阻剂之半导体晶圆W,且载置于下部电极16,在处理容器10内供给包含CxFy、稀有气体、O2者作为处理气体,对上部电极34施加电浆生成用的高频,对下部电极16施加偏压用的高频,生成处理气体的电浆而来蚀刻氧化膜时,当晶圆温度或图案形状等的蚀刻条件为蚀刻开口性低之类时,以能够在上部电极34取得良好的蚀刻开口性之方式来施加所定的直流电压。