Magnetische Direktzugriffsspeichereinheit und Verfahren zum Herstellen einer magnetischen Direktzugriffsspeichereinheit

摘要

Die magnetische Direktzugriffsspeicher-(MRAM-)Einheit weist Lesewortleitungen, Schreibwortleitungen und Bitleitungen sowie eine Vielzahl von Bitspeicherzellen auf, die durch die Lesewortleitungen, die Schreibwortleitungen und die Bitleitungen untereinander verbunden sind, wobei jede der Bitspeicherzellen ein Element mit einer festen ferromagnetischen Schicht und ein Element mit einer freien ferromagnetischen Schicht aufweist, die durch ein dielektrisches Tunnelbarrierenelement voneinander getrennt sind, wobei jede der Schreibwortleitungen und eine entsprechende Anzahl der Elemente mit einer freien ferromagnetischen Schicht als eine einzige durchgehende ferromagnetische Leitung gebildet sind.