发明名称 Verfahren und Vorrichtung zum Steuern einer Plasmadichteverteilung in einem Vakuumprozess
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Steuern einer Plasmadichteverteilung in einem Vakuumprozess zur Behandlung eines Substrats, wobei in einer Vakuumkammer eine Kathode und benachbart zur Kathode eine Mehrzahl von Anoden angeordnet sind und eine Plasmaentladung erzeugt und die Stromversorgung der einzelnen Anoden getrennt voneinander gesteuert wird. Mit dem Verfahren und der Vorrichtung soll die Plasmadichteverteilung in einem Vakuumprozess einfach und schnell sowie lokal differenziert veränderbar sein. Gelöst wird diese Aufgabe durch eine Steuerung der einzelnen Anoden derart, dass der Anodenstrom einer ersten Anode aus einer Reihe benachbart zueinander angeordneter Anoden einen ersten Stromwert zwischen einem maximalen Stromwert und Null und der Anodenstrom einer anderen Anode dieser Reihe einen davon abweichenßer Null sind.
申请公布号 DE102009017888(B4) 申请公布日期 2013.01.17
申请号 DE200910017888 申请日期 2009.03.20
申请人 VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH 发明人 TEICHERT, BERND
分类号 H05H1/46;H05H1/02;H05H1/36 主分类号 H05H1/46
代理机构 代理人
主权项
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