半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件以及这种半导体器件的制造方法。根据本发明实施例的半导体器件包括：衬底，所述衬底包括基底层、位于基底层上的绝缘层和位于绝缘层上的半导体层；以及，形成于衬底上的第一晶体管和第二晶体管，第一和第二晶体管通过形成于衬底中的沟槽隔离结构彼此隔开。其中，第一和第二晶体管中至少一个晶体管下方的基底层的至少一部分是有应变的，且基底层的有应变的部分与绝缘层相邻。根据本发明的半导体器件提高了器件的速度并由此改善了器件性能。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括基底层、位于所述基底层上的绝缘层和位于所述绝缘层上的半导体层；以及形成于所述衬底上的第一晶体管和第二晶体管，所述第一和第二晶体管通过形成于所述衬底中的沟槽隔离结构彼此隔开，其中，所述第一和第二晶体管中至少一个晶体管下方的所述基底层的至少一部分是有应变的，且所述基底层的有应变的部分与所述绝缘层相邻。