发明名称 |
一种超结高压功率器件的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种超结高压功率器件的制造方法。本发明提供n型重掺杂的n+衬底,并在n+衬底上形成n型外延层、之后形成p阱区、复合缓冲层;在硅片上生长场氧化层,界定出器件的有源区,生长栅氧化层,界定出多晶硅第一次刻蚀的区域;整个半导体硅片表面进行深p+注入,前面工艺形成的多晶硅区域可以界定形成p+区域;将硅片置于多晶硅刻蚀液中,通过控制刻蚀时间及刻蚀速率,将多晶硅进行二次刻蚀,之后形成型源区n+;与整个半导体硅片表面淀积介质层,界定出接触孔区域,并进行氧化层刻蚀;淀积金属层,通过光刻,定义出刻蚀区域,进行金属刻蚀。本发明提高器件的雪崩耐量,改善器件的可靠性,并且不影响器件的开启电压和导通电阻。 |
申请公布号 |
CN102881595A |
申请公布日期 |
2013.01.16 |
申请号 |
CN201210292879.2 |
申请日期 |
2012.08.17 |
申请人 |
西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
发明人 |
陈桥梁;任文珍;陈仕全;马治军;杜忠鹏 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 |
代理人 |
李罡 |
主权项 |
一种超结高压功率器件的制造方法,其特征在于:通过以下步骤实现:步骤一:提供n型重掺杂的n+衬底,并在n+衬底上形成n型外延层;步骤二:通过光刻界定出p‑body的注入区域,进行p型杂质注入,并通过热过程推阱形成p阱区;步骤三:通过光刻界定出形成p‑colunm的区域,并通过刻蚀及外延填充形成p‑column,形成复合缓冲层;步骤四:在硅片上生长场氧化层,并通过光刻场氧化层界定出器件的有源区,生长栅氧化层,淀积厚度为T+x微米的多晶硅,并通过光刻界定出多晶硅第一次刻蚀的区域,第一次刻蚀后多晶硅的宽度为W+x微米;步骤五:整个半导体硅片表面进行深p+注入,前面工艺形成的多晶硅区域可以界定形成p+区域,p+注入后会横扩x微米;步骤六:将硅片置于多晶硅刻蚀液中,通过控制刻蚀时间及刻蚀速率,将多晶硅进行二次刻蚀,多晶硅表面及侧壁刻蚀掉x微米,则第二次刻蚀后多晶硅的厚度从T+x微米变为了T微米,多晶硅的宽度从W+x微米变为了W微米;步骤七:通过光刻界定出源极区域,n型杂质离子注入,并进行推阱形成型源区n+;步骤八:与整个半导体硅片表面淀积介质层,通过光刻,界定出接触孔区域,并进行氧化层刻蚀;淀积金属层,通过光刻,定义出刻蚀区域,进行金属刻蚀。 |
地址 |
710021 陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区 |