| 发明名称 |
一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，主要包括镀铝膜及激光烧结背电场，其中所述镀铝膜可采用溅射镀膜或者蒸发镀膜，其膜厚控制在0.5-2.0μ，激光烧结采用连续式固体激光器，在真空环境下进行，用以形成背电场。在进行激光烧结时，使基片具有0-500℃的本底温度。这种免接触式制备晶体硅电池背电极的方法，降低了碎片率，减少了电极材料的浪费，同时也容易形成自动化生产线，利于规模生产。 |
| 申请公布号 |
CN102881572A |
申请公布日期 |
2013.01.16 |
| 申请号 |
CN201110202723.6 |
申请日期 |
2011.07.11 |
| 申请人 |
刘莹 |
发明人 |
刘莹 |
| 分类号 |
H01L21/268(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，主要包括镀铝膜及激光烧结工序，其特征在于：所述镀铝膜为真空镀膜，用以形成与晶体硅表面附着力良好的铝电极；所述激光烧结为在真空条件下，用激光对附着铝电极的晶硅面进行烧结，以形成背表面电场；所述晶体硅在激光烧结时具有本底温度，以加快烧结过程； |
| 地址 |
214213 江苏省宜兴市陶都路8号7号楼418室朱炼转刘莹 |
