| 发明名称 | 半导体装置内开口的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置内开口的形成方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板具有依序形成于其上的氧化硅层、多晶硅层与氮化硅层；图案化该氮化硅层，在该氮化硅层内形成第一开口，其中该第一开口露出了该多晶硅表面；施行第一蚀刻程序，使用包括溴化氢、氧气及氟碳化合物(CxFy)的蚀刻气体以形成第二开口于该多晶硅层内，其中邻近于该第二开口的该多晶硅层的侧壁大体垂直于该氧化硅层的顶面，其中该氟碳化合物内的x约介于1-5且y约介于2-8；移除该氮化硅层；以及施行第二蚀刻程序，在该第二开口所露出的该氧化硅层内形成第三开口。 | ||
| 申请公布号 | CN102881635A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201110256029.2 | 申请日期 | 2011.08.25 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 林智清;陈逸男;刘献文 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种半导体装置内开口的形成方法，包括：提供半导体基板，所述半导体基板具有依序形成于其上的氧化硅层、多晶硅层与氮化硅层；图案化所述氮化硅层，在所述氮化硅层内形成第一开口，其中所述第一开口露出了所述多晶硅表面；施行第一蚀刻程序，使用包括溴化氢、氧气及氟碳化合物(CxFy)的蚀刻气体以在所述多晶硅层内形成第二开口，其中邻近于所述第二开口的所述多晶硅层的侧壁大体垂直于所述氧化硅层顶面，其中所述氟碳化合物内的x约介于1‑5且y约介于2‑8；移除所述氮化硅层；以及施行第二蚀刻程序，在所述第二开口所露出的所述氧化硅层内形成第三开口。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||