| 发明名称 | 一种半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种半导体装置及其制造方法。该制造方法是先提供半导体基材(如裸硅)，并在半导体基材上形成介电层。藉由移除部分介电层,可在介电层中提供开口。共形的第一导电层是形成于介电层与开口上,共形的第二导电层是形成于第一导电层上，共形的势垒层是形成于第二导电层上。 | ||
| 申请公布号 | CN102881580A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210374454.6 | 申请日期 | 2009.03.06 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 骆统;苏金达;杨大弘;陈光钊 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于该方法制造包括：提供一基材；在该基材上形成一介电层；在该介电层内提供一开口；在该介电层与该开口上利用物理气相沉积法形成一第一钛层；在该第一导电层上利用化学气相沉积法形成一第二钛层；以及在该第二钛层上形成一势垒层；其中该第一钛层与该第二钛层直接接触。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||