发明名称 压电谐振器、滤波器、以及双模滤波器
摘要 本发明提供一种可以抑制短波长乱真的压电薄膜谐振器。薄膜部的一部分由基板12支持,薄膜部的从基板12音响性分离的部分中含有:a)夹持压电膜16的一对电极14、18在俯视图中重叠的振动部24;b)沿着振动部24的外周的至少一部分设置在压电膜16或电极18上的附加膜20。设x(MN·秒/m3)为由密度和杨氏模量的积的平方根定义的附加膜20的音响阻抗,附加膜20的密度和厚度的积为A,电极14、18的密度和厚度的积为B,y=A/B,满足:(i)9.0≤x<44.0时,0.0092·x+0.88≤y<0.067·x+0.60 ···(1a)(ii)44.0≤x<79.0时,-0.0035·x+1.45≤y<0.015·x+2.9 ···(1b)。
申请公布号 CN101292422B 申请公布日期 2013.01.16
申请号 CN200680035920.0 申请日期 2006.02.09
申请人 株式会社村田制作所 发明人 梅田圭一;河村秀树
分类号 H03H9/17(2006.01)I;H03H9/54(2006.01)I;H01L41/09(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I 主分类号 H03H9/17(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李香兰
主权项 一种压电谐振器,具有:基板;和薄膜部,该薄膜部含有由该基板支持的部分和从该基板被音响分离的部分,从上述薄膜部的上述基板被音响分离的部分包含:泊松比为三分之一以下的压电膜和夹持该压电膜的一对电极在俯视图中重叠的振动部;和在俯视情况下沿着上述振动部的外周的至少一部分设置在上述压电膜或上述电极上的附加膜,设x(MN·秒/m3)为由密度和杨氏模量的积的平方根定义的上述附加膜的音响阻抗,设上述附加膜的密度和厚度的积为A,上述电极的密度和厚度的积为B,y=A/B,则作为A/B比值的y满足以下的式(1a)或(1b):(i)9.0≤x<44.0时,0.0092·x+0.88≤y<0.067·x+0.60…(1a)(ii)44.0≤x<79.0时,‑0.0035·x+1.45≤y<0.015·x+2.9…(1b)。
地址 日本京都府