晶圆处理沉积屏蔽构件

摘要

本发明提供了晶圆处理沉积屏蔽构件。这里描述的实施例主要涉及用于半导体处理腔室的组件、用于半导体处理腔室的处理套件以及具有处理套件的半导体处理腔室。在一个实施例中，提供了用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件的下屏蔽件。下屏蔽件包括：圆柱状外带，其具有第一直径，该第一直径的尺寸确定为围绕溅镀靶材的溅镀表面以及基板支撑件，该圆柱外带包括环绕溅镀靶材的溅镀表面的上壁以及环绕基板支撑件的下壁；支撑壁架，其包括支承表面并从圆柱状外带向外径向地延伸；基座板，其从圆柱状外带的下壁向内径向地延伸；以及圆柱状内带，其与基座板相连接并部分环绕基板支撑件的周围边缘。

主权项

一种下屏蔽件，其用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件，所述基板处理腔室具有侧壁和环绕所述侧壁的环形转接器，所述下屏蔽件包括：圆柱状外带，其具有第一直径，所述第一直径的尺寸确定为围绕所述溅镀靶材的溅镀表面以及所述基板支撑件，所述圆柱外带包括：多个气体孔洞；下壁，其环绕所述基板支撑件并具有刻痕；以及上壁，其环绕所述溅镀靶材的所述溅镀表面，所述上壁包括：内周侧，其面向内部并从竖直方向朝着所述下壁径向地向内成角度；以及外周侧，其面向外部，其中，所述外周侧延伸以形成倾斜阶梯部，所述倾斜阶梯部从竖直方向远离所述下壁径向地向外成角度；支撑壁架，其包括支承表面并从所述圆柱状外带向外径向地延伸，所述支承表面用于接触所述环形转接器，并且所述支承表面具有从10到80微英寸之间的表面粗糙度、以及多个槽体；基座板，其从所述圆柱状外带的所述下壁向内径向地延伸；以及圆柱状内带，其与所述基座板相连接并部分环绕所述基板支撑件的周围边缘。