发明名称 半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜
摘要 本发明涉及半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜。本发明提供了一种半导体装置用粘接膜,其即使在长期间保存之后也能具有与制造时同样的物性。该半导体装置用粘接膜含有热固化性树脂,对于所述半导体装置用粘接膜的用差示扫描量热仪测定的反应放热峰温度±80℃温度范围内的反应放热量而言,在25℃的条件下保存4周之后的反应放热量相对于保存前的反应放热量为0.8~1倍的范围。
申请公布号 CN102876245A 申请公布日期 2013.01.16
申请号 CN201210245045.6 申请日期 2012.07.13
申请人 日东电工株式会社 发明人 志贺豪士;高本尚英;浅井文辉
分类号 C09J7/00(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J163/00(2006.01)I;C09J11/06(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I 主分类号 C09J7/00(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种半导体装置用粘接膜,其特征在于,其含有热固化性树脂,对于所述半导体装置用粘接膜的用差示扫描量热仪测定的反应放热峰温度±80℃温度范围内的反应放热量而言,在25℃的条件下保存4周之后的反应放热量相对于保存前的反应放热量为0.8~1倍的范围。
地址 日本大阪府