微晶硅薄膜的沉积方法及等离子体辅助沉积的监控装置

摘要

一种微晶硅薄膜的沉积方法，包括：以开回路方式进行等离子体辅助沉积；在该开回路未调变制作工艺参数的沉积制作工艺使薄膜结晶率达到稳定后，接续以闭回路调变制作工艺参数的方式进行等离子体辅助沉积，其中该闭回路方式为监控该等离子体中的SiH*和Hα活性物种，并调整该等离子体辅助沉积中的制作工艺参数，使该等离子体中的SiH*和Hα活性物种的成分浓度维持在稳定范围内，提高镀膜沉积速率。

主权项

一种微晶硅薄膜的沉积方法，包括：以开回路且未调变参数的制作工艺进行等离子体辅助沉积；以及当该开回路且未调变参数的沉积制作工艺达到预设的薄膜结晶率时，以闭回路且调变参数的制作工艺进行等离子体辅助沉积，其中该闭回路且调变参数的制作工艺为监控该等离子体中的SiH*和Hα活性物种，并调整该等离子体辅助沉积中的制作工艺参数，使该等离子体中的SiH*和Hα活性物种的等离子体光谱强度值维持在目标值及其允许范围内，以提高镀膜沉积速率，其中达到该预设的薄膜结晶率是通过控制结晶沉积时间，该结晶沉积时间由以下方法决定：以该开回路且未调变参数的制作工艺进行等离子体辅助沉积；以及量测不同沉积时间的微晶硅薄膜结晶率，以获得微晶硅薄膜结晶率稳定所必需的该结晶沉积时间。