存储器装置及其制造方法和操作方法

摘要

本发明公开了一种具有具非矩形横截面存储器装置及其制造方法和操作方法。非矩形横截面可为反T型、梯形形状或双反T型。公开了一种用于生产归因于浮置栅极的增加的表面积而具有改良耦合比率的浮置栅极存储器装置的方法。存储器装置具有具诸如反T型的横截面形状的浮置栅极，以使得顶部轮廓不为平直线段。

主权项

一种形成存储器装置的方法，其特征在于，包括：提供衬底；形成向下延伸至所述衬底中的多个沟道，用介电材料填充该多个沟道；将隧穿层形成于所述衬底上；将数据储存层形成于所述隧穿层上，且该数据储存层是一体成型于所述隧穿层上；将顶盖层形成于所述数据储存层上；移除部分顶盖层以曝露部分数据存储层；移除所述部分数据储存层的第一部分以使得所述数据储存层的横截面形成多个储存结构，其中所述储存结构中的每一个具有顶部部分以及底部部分且其中所述顶部部分比所述底部部分狭窄；移除顶盖层；将绝缘体层形成于所述数据储存层上；以及将导线形成于所述绝缘体层上。