发明名称 垂直集成的MEMS
摘要 本发明公开了一种形成微机电系统(MEMS)换能器的示范性系统和方法。根据本文公开的一个示范性实施例,该MEMS换能器由两个晶片形成,并且消除了检测质量和挠性件的厚度的相互影响,从而允许它们被独立设计。此外,本示范性系统和方法刻蚀晶片的两侧以限定检测质量和挠性件,从而允许光学对准顶部和底部晶片。
申请公布号 CN101553425B 申请公布日期 2013.01.16
申请号 CN200780038947.X 申请日期 2007.10.18
申请人 惠普开发有限公司 发明人 S·拉马穆尔蒂;D·J·米利根
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 张雪梅;徐予红
主权项 一种形成微机电系统MEMS的方法,包括:形成第一晶片(110,410),包括从所述第一晶片(110,410)的至少顶表面和底表面移除材料以限定至少一个挠性构件(145,150,440)和至少一个检测质量(430),所述至少一个检测质量包括与检测z方向上的移动相关的检测质量和与检测x‑y平面中的移动相关的检测质量;形成包含电子电路的第二晶片(120,420);和将所述第一晶片(120,420)结合到所述第二晶片(120,420),使得在所述第一晶片(110,410)和所述第二晶片(120,420)之间限定间隙;其中与检测z方向上的移动相关的检测质量的厚度和与检测x‑y平面中的移动相关的检测质量的厚度无关。
地址 美国德克萨斯州