| 发明名称 | 修补层形成方法及金属氧化物半导体晶体管结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种修补层的形成方法以及金属氧化物半导体晶体管结构，该修补层的形成方法包括：提供基板，在基板上方形成栅极结构，栅极结构至少包括栅极介电层以与栅极导体结构；执行氮化工艺而在栅极结构表面上形成含氮表面层；以及对含氮表面层进行热氧化法以形成修补层。该金属氧化物半导体晶体管结构包括：栅极介电层，设置在基板上方；栅极导体结构，设置在栅极介电层上方；以及修补层，至少覆盖在栅极导体结构的侧壁表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102881590A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201110193827.5 | 申请日期 | 2011.07.12 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林建良;颜英伟;王俞仁 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种修补层形成方法，包括下列步骤：提供基板，该基板上方已形成有栅极结构，该栅极结构至少包括栅极介电层以及栅极导体结构；执行氮化工艺而在该栅极结构表面上形成含氮表面层；以及对该含氮表面层进行热氧化法以形成修补层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||