| 发明名称 | 隔离结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体隔离结构的制造方法，包含下列步骤：形成一绝缘层于一沟槽侧壁，该沟槽置于一半导体基板中；曝露该基板的一部份；成长一硅磊晶层于该沟槽底部；氧化该硅磊晶层以形成一热氧化层；以及将该沟槽的一部份填满一介电材料，该介电材料置于该热氧化层上。 | ||
| 申请公布号 | CN102881627A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201110350652.4 | 申请日期 | 2011.11.01 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 锺瑞萱 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 冯志云;吕俊清 |
| 主权项 | 一种隔离结构的形成方法，其特征在于包含下列步骤：形成一沟槽(16)于一基板(10)中，该沟槽含有侧壁(161)和一底部表面(162)；形成一隔绝层(18)于该沟槽的侧壁，该隔绝层(18)曝露一部份该基板(10)；成长一硅磊晶层(22)于该沟槽底部表面之上(162)；氧化该硅磊晶层(22)，以形成一热氧化层(23)；以及沉积一介电材料(24)于该沟槽(16)中以填满该沟槽(16)的剩余部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||