发明名称 |
一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路 |
摘要 |
本发明公开一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路,其包括有:熔断器、双向可控硅及稳压管,所述熔断器的第一端为电源端,其第二端为供电输出端,该第二端还通过第一电阻而连接至稳压管的阴极,该稳压管的阳极通过第二电阻接地,所述熔断器的第二端还连接双向可控硅的第一极,所述双向可控硅的第二极接地,其控制极连接至稳压管的阳极。本发明不仅避免了电路欠压还降低了产品成本。 |
申请公布号 |
CN102882181A |
申请公布日期 |
2013.01.16 |
申请号 |
CN201210379400.9 |
申请日期 |
2012.09.29 |
申请人 |
深圳市新国都技术股份有限公司 |
发明人 |
黄善兵;翟建光;甘彦君 |
分类号 |
H02H3/08(2006.01)I;H02H11/00(2006.01)I;H02H3/20(2006.01)I |
主分类号 |
H02H3/08(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市精英专利事务所 44242 |
代理人 |
李新林 |
主权项 |
一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路,其特征在于,其包括有:熔断器(FU1)、双向可控硅(Q1)及稳压管(D1),所述熔断器(FU1)的第一端为电源端(VIN),其第二端为供电输出端(VCC),该第二端还通过第一电阻(R1)而连接至稳压管(D1)的阴极,该稳压管(D1)的阳极通过第二电阻(R2)接地,所述熔断器(FU1)的第二端还连接双向可控硅(Q1)的第一极,所述双向可控硅(Q1)的第二极接地,其控制极连接至稳压管(D1)的阳极。 |
地址 |
518000 广东省深圳市福田区泰然工贸园劲松大厦17层 |